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Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 4,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 4,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHD5N80AE-GE3

Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 4,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1,35 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHD5N80AE-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 4,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 4,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 4,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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ITL Insulated Tools Ltd ITL 19mm VDE Abgewinkelter Ringschlüssel CrV-Stahl, Länge 210 mm, VDE 1000V zugelassen: Ja, Finish: Isoliert, Doppelseitig: Nein, Metrisch oder zöllig: metrisch, Größe: 19 mm, MPN: 01100
    • ABB SICHERUNGSAUTOMAT S203M-C20H10, MPN: 2CDV273001R0204
    • nVent SCHROFF Serie RatiopacPRO Rackmontagechassis 3U, / 42TE, T. 315mm, Silber

    nVent SCHROFF Serie RatiopacPRO Rackmontagechassis 3U, / 42TE, T. 315mm, Silber

    315mm, Silber, MPN: 24571-017.nVent SCHROFF Serie RatiopacPRO Rackmontagechassis 3U, / 42TE, T.

    • ABB SICHERUNGSAUTOMAT S203M-C16H10, MPN: 2CDV273001R0164
    • IDEM M-ISP Sicherheits-Verriegelungsschalter Codiert 2 Öffner/1 Schließer Verriegelung Schließer/2 Öffner 690V Edelstahl, Anschlussausführung: Schraubbefestigung, Tiefe: 176mm, Länge: 112mm, Strom (max.): 25A, Betriebstemperatur max.: +40°C, Betriebstemperatur min.: -20°C, Breite: 169mm, MPN: M-ISP-SKR-25 (A101)
    • Lumberg connector,circular din,female receptacle,rear mount,8 contact,ip40,mate sv,wsv, MPN: KGV 80

    Lumberg connector,circular din,female receptacle,rear mount,8 contact,ip40,mate sv,wsv, MPN: KGV 80

    Lumberg connector,circular din,female receptacle,rear mount,8 contact,ip40,mate sv,wsv.

    • Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 4,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1,35 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHD5N80AE-GE3
    • Samsung Electro-Mechanics Samsung, CL, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 22nF ±10% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CL10B223KB8NNNC
    • Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 4,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1,35 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHD5N80AE-GE3
    • Samsung Electro-Mechanics Samsung, CL, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 22nF ±10% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CL10B223KB8NNNC