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Amphenol Industrial Amphenol Ecomate C16 Rundsteckverbinder Buchse 8 + PE-polig / 12.0A, Tafelmontage, Crimpanschluss IP65

About The 0A, Tafelmontage, Crimpanschluss IP65, Steckergröße: Standard, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 400,0 V, Gehäusematerial: Polymer, Kontaktbeschichtung: Gold, Silber, Betriebstemperatur (max.): +125°C, MPN: C016-10G008-0001

Amphenol Industrial Amphenol Ecomate C16 Rundsteckverbinder Buchse 8 + PE-polig / 12.0A, Tafelmontage, Crimpanschluss IP65, Steckergröße: Standard, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 400,0 V, Gehäusematerial: Polymer, Kontaktbeschichtung: Gold, Silber, Betriebstemperatur (max.): +125°C, MPN: C016-10G008-0001

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > Rundsteckverbinder > Industrie,Automation Steckverbinder

Amphenol Industrial Amphenol Ecomate C16 Rundsteckverbinder Buchse 8 + PE-polig / 12.0A, Tafelmontage, Crimpanschluss IP65

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Specifications of Amphenol Industrial Amphenol Ecomate C16 Rundsteckverbinder Buchse 8 + PE-polig / 12.0A, Tafelmontage, Crimpanschluss IP65

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Essentra Messing Abstandhalter rund x 8mm, Außendurchmesser: 6mm, Bohrungsdurchmesser: 3.2mm, MPN: RRSB-3260-8
    • Panasonic ERJP14,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 68kΩ ±5% / 0.5W ±200ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJP14J683U
    • Essentra Messing Abstandhalter rund x 5mm, Außendurchmesser: 6mm, Bohrungsdurchmesser: 3.2mm, MPN: RRSB-3260-5
    • Infineon HEXFET IRLR3636TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 8,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Höhe: 6.22mm
    • Infineon HEXFET IRLR3636TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 99 A 143 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 8,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Höhe: 6.22mm