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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin USM

About The : 2.Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin USM, Drain-Source-Widerstand max

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin USM, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SSM3K7002FU(F)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin USM

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Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin USM

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