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ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 800 MW, 3-Pin TUMT3

About The .: 310 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 800 mW, 3-Pin TUMT3, Drain-Source-Widerstand max.: 310 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: RUF015N02TL

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 800 MW, 3-Pin TUMT3

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Specifications of ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 800 MW, 3-Pin TUMT3

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