Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A 34 W, 8-Pin TSON
About The Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A 34 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 6,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A 34 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 6,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: TPN4R303NL
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A 34 W, 8-Pin TSON
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