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Wurth Elektronik WE-PMCI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 1.3A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, 40MHz

About The 25mm, Höhe: 1mm, Abmessungen: 2 x 1.: +125°C, Betriebstemperatur min

Wurth Elektronik WE-PMCI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 1.3A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, 40MHz, Tiefe: 1.25mm, Höhe: 1mm, Abmessungen: 2 x 1.25 x 1mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 176mΩ, Induktivitätsbauweise: Vergossen, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 74479275222

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Wurth Elektronik WE-PMCI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 1.3A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, 40MHz

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Specifications of Wurth Elektronik WE-PMCI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 1.3A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, 40MHz

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RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 249kΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C
    • RS PRO Dünnschicht Widerstand 10kΩ 0.1% / 0.4W ±50 → 100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse
    • RS PRO Dünnschicht Widerstand 1kΩ 0.1% / 0.4W ±50 → 100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Temperaturkoeffizient: ±50 → 100ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C
    • Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252, MPN: IPD068N10N3GATMA1

    Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252, MPN: IPD068N10N3GATMA1

    Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252.

    • Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252, MPN: IPD068N10N3GATMA1

    Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252, MPN: IPD068N10N3GATMA1

    Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252.