ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15 A 50 W, 3-Pin TO-220FM, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: R6015ANX
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ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15 A 50 W, 3-Pin TO-220FM
Specifications of ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15 A 50 W, 3-Pin TO-220FM | |
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