reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,8 W, 8-Pin MSOP

About The : 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, MPN: IRF7607TRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,8 W, 8-Pin MSOP, Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, MPN: IRF7607TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,8 W, 8-Pin MSOP

More from Infineon | Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,8 W, 8-Pin MSOP, Drain-Source-Widerstand Max.: 30 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung Min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, MPN: IRF7607TRPBF
Search

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,8 W, 8-Pin MSOP

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,8 W, 8-Pin MSOP
More Varieties

Rating :- 9.99 /10
Votes :- 38
ABB LS43P93B11, Positionsschalter, MPN: 1SBV010793R1211
    • binder 770 Mini Rundsteckver Stecker 8-polig / 2.0A Kabelmontage, Lötanschluss IP 67, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Löten, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 175,0 V, Verbindungstyp: Bajonett, Gehäusematerial: Polymer, Kontaktbeschichtung: Gold, Betriebstemperatur (max.): +85°C, MPN: 99-0771-001-08
    • Italtronic DIN-Schienengehäuse, 101 x 35 x 120mm, Geh.Mat. ABS, Polycarbonat, Schwarz, Railbox, Serie Railbox

    Italtronic DIN-Schienengehäuse, 101 x 35 x 120mm, Geh.Mat. ABS, Polycarbonat, Schwarz, Railbox, Serie Railbox

    ABS, Polycarbonat, Schwarz, Railbox, Serie Railbox, Länge: 101mm, Breite: 35mm, Erfüllte Normen: EN 60715, MPN: 10.

    • RS PRO EPDM, Innen-Ø 12.37mm / Außen-Ø 17.61mm, Stärke 2.62mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +120°C
    • Nichicon VK, THT Elektrolyt Kondensator 4700μF ±20% / 10V dc, Ø 12.5mm x 25mm, +85°C, Kapazität: 4700µF, Spannung: 10V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Technologie: Aluminium-Elektrolyt, Abmessungen: 12.5 (Dia.) x 25mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Lebensdauer: 2000h, Leckstrom: 3 μA, 4 μA, Brummstrom: 1.8A, MPN: UVK1A472MHD
    • Nichicon VK, THT Elektrolyt Kondensator 3300μF ±20% / 10V dc, Ø 12.5mm x 20mm, +85°C, Kapazität: 3300µF, Spannung: 10V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Technologie: Aluminium-Elektrolyt, Abmessungen: 12.5 (Dia.) x 20mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Lebensdauer: 2000h, Leckstrom: 3 μA, 4 μA, Brummstrom: 1.45A, MPN: UVK1A332MHD
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,8 W, 8-Pin MSOP, Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, MPN: IRF7607TRPBF
    • RS PRO EPDM, Innen-Ø 45.69mm / Außen-Ø 50.93mm, Stärke 2.62mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +120°C
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,8 W, 8-Pin MSOP, Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, MPN: IRF7607TRPBF
    • RS PRO EPDM, Innen-Ø 45.69mm / Außen-Ø 50.93mm, Stärke 2.62mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +120°C