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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,83 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 5mm, MPN: SPD08P06PGBTMA1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,83 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: SPD08P06PGBTMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,83 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,83 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,83 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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