IXYS IGBT / 570 A ±20V max., 650 V 880 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 10 → 30kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 20.3 x 5.3 x 26.6mm, Nennleistung: 3mJ, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: IXXK110N65B4H1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
IXYS IGBT / 570 A ±20V Max., 650 V 880 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal
Specifications of IXYS IGBT / 570 A ±20V Max., 650 V 880 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |