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STMicroelectronics BU941ZT THT, NPN Transistor Dual 350 V / 30 A, TO-220AB 3-Pin

About The 4 x 4.4mm, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max

STMicroelectronics BU941ZT THT, NPN Transistor Dual 350 V / 30 A, TO-220AB 3-Pin, DC Kollektorstrom max.: 15 A, 30 A (Spitze), Montage-Typ: Durchsteckmontage, Verlustleistung max.: 150 W, Gleichstromverstärkung min.: 300, Transistor-Konfiguration: Single & Common Emitter, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, Länge: 10.4mm, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 2,5 V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

STMicroelectronics BU941ZT THT, NPN Transistor Dual 350 V / 30 A, TO-220AB 3-Pin

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Specifications of STMicroelectronics BU941ZT THT, NPN Transistor Dual 350 V / 30 A, TO-220AB 3-Pin

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