EPCOS SIMID SMD Induktivität, 68 nH 480mA AEC-Q200 mit Keramik-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 1.15GHz, Tiefe: 2.5mm, Abmessungen: 3.2 x 2.5 x 2mm, Gleichstromwiderstand max.: 210mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B82422A3680K100
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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 68 NH 480mA AEC-Q200 Mit Keramik-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 1.15GHz
Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 68 NH 480mA AEC-Q200 Mit Keramik-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 1.15GHz | |
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