Infineon IGBT-Modul / 54 A ±20V Max., 1200 V 215 W, 35-Pin EASY2B N-Kanal

Name: Infineon: Infineon IGBT-Modul / 54 A ±20V Max., 1200 V 215 W, 35-Pin EASY2B N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: PCB-Montage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 56.7 X 48 X 12mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C, Betriebstemperatur Min.: –40 °C, MPN: FP35R12W2T4_B11
Brand: Infineon
SKU: ABDU-475057
Price: 866.00 EUR
Availability: InStock

About The , 1200 V 215 W, 35-Pin EASY2B N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: PCB-Montage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 56.: +150 °C, Betriebstemperatur min

Infineon IGBT-Modul / 54 A ±20V max., 1200 V 215 W, 35-Pin EASY2B N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: PCB-Montage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 56.7 x 48 x 12mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: FP35R12W2T4_B11

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 74.6mm / Außen-Ø 81.66mm, Stärke 3.53mm, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Betriebstemperatur (max.): +200°C

RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 52.4mm / Außen-Ø 59.46mm, Stärke 3.53mm, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Betriebstemperatur (max.): +200°C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Specifications of Infineon IGBT-Modul / 54 A ±20V Max., 1200 V 215 W, 35-Pin EASY2B N-Kanal
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Last Updated January 20th, 2025 04:30 am

Infineon IGBT-Modul / 54 A ±20V Max., 1200 V 215 W, 35-Pin EASY2B N-Kanal

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RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 80.6mm / Außen-Ø 85.84mm, Stärke 2.62mm, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Betriebstemperatur (max.): +200°C

RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 80.6mm / Außen-Ø 85.62mm.84mm, Stärke 2.

RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 44.45mm / Außen-Ø 51.51mm, Stärke 3.53mm, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Betriebstemperatur (max.): +200°C

45mm / Außen-Ø 51.53mm.RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 44.

onsemi BD13510STU THT, NPN Transistor 45 V / 1,5 A, TO-126 3-Pin, Verlustleistung max.: 12,5 W, Gleichstromverstärkung min.: 63, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 8.3 x 3.45 x 11.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

onsemi BD13510STU THT, NPN Transistor 45 V / 1,5 A, TO-126 3-Pin.

RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 47.62mm / Außen-Ø 54.68mm, Stärke 3.53mm, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Betriebstemperatur (max.): +200°C

68mm, Stärke 3.

RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 47.62mm / Außen-Ø 54.68mm, Stärke 3.53mm, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Betriebstemperatur (max.): +200°C

RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 47.62mm / Außen-Ø 54.68mm, Stärke 3.53mm.

Infineon IGBT-Modul / 54 A ±20V Max., 1200 V 215 W, 35-Pin EASY2B N-Kanal

About The , 1200 V 215 W, 35-Pin EASY2B N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: PCB-Montage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 56.: +150 °C, Betriebstemperatur min

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RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 47.62mm / Außen-Ø 54.68mm, Stärke 3.53mm, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Betriebstemperatur (max.): +200°C

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