Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,9 A 40 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRLI640GPBF
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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,9 A 40 W, 3-Pin TO-220FP
Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,9 A 40 W, 3-Pin TO-220FP | |
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