Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET –20 V / 3,3 A 6250 MW, 3-Pin SOT-23
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Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET –20 V / 3,3 A 6250 mW, 3-Pin SOT-23, Dauer-Drainstrom max.: -3,3 A, Gehäusegröße: SOT23, TO-236AB, Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -1.25V, Gate-Schwellenspannung min.: -0.75V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 12 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: PMV65XPEAR
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET –20 V / 3,3 A 6250 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET –20 V / 3,3 A 6250 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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