Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 19,8 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,006 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, MPN: SI4204DY-T1-GE3
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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 19,8 A, 8-Pin SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 19,8 A, 8-Pin SO-8 | |
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