Vishay SiHB105N60EF N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,102 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, MPN: SIHB105N60EF-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SiHB105N60EF N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay SiHB105N60EF N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |