Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 0,8 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPS60R800CEAKMA1
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Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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