Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 18,5 A 127 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.36mm, MPN: IPP50R190CEXKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 18,5 A 127 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 18,5 A 127 W, 3-Pin TO-220 | |
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