Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET –12 V / 3,2 A 8330 MW, 4-Pin DFN1010D-3
About The : -0.: –3,2 A, Gehäusegröße: DFN1010D-3, SOT1215, Drain-Source-Widerstand max
Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET –12 V / 3,2 A 8330 mW, 4-Pin DFN1010D-3, Dauer-Drainstrom max.: –3,2 A, Gehäusegröße: DFN1010D-3, SOT1215, Drain-Source-Widerstand max.: 880 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -1V, Gate-Schwellenspannung min.: -0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 8 V, Höhe: 0.36mm, MPN: PMXB65UPEZ
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET –12 V / 3,2 A 8330 MW, 4-Pin DFN1010D-3
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Specifications of Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET –12 V / 3,2 A 8330 MW, 4-Pin DFN1010D-3 | |
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