Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 77 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,009 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 20V, MPN: IRFR3504ZTRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 77 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 77 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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