ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 68 W, 3-Pin TO-220FM
About The : +150 °C, MPN: R6020KNX.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 68 W, 3-Pin TO-220FM, Drain-Source-Widerstand max.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: R6020KNX
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 68 W, 3-Pin TO-220FM
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Specifications of ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 68 W, 3-Pin TO-220FM | |
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