onsemi SuperFET III FCPF165N65S3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 19 A 35 W, 3-Pin TO220F, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V ac/dc, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: FCPF165N65S3L1
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Onsemi SuperFET III FCPF165N65S3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 19 A 35 W, 3-Pin TO220F
Specifications of Onsemi SuperFET III FCPF165N65S3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 19 A 35 W, 3-Pin TO220F | |
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