onsemi N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRL640A
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Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Onsemi N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin TO-220 | |
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