EPCOS SIMID SMD Induktivität, 220 nH 110mA AEC-Q200 mit Keramik verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%,, Tiefe: 0.8mm, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Gleichstromwiderstand max.: 7Ω, Resonanzfrequenz max.: 1.3GHz, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: B82496C3221J000
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
EPCOS SIMID SMD Induktivität, 220 NH 110mA AEC-Q200 Mit Keramik Verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%,
Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 220 NH 110mA AEC-Q200 Mit Keramik Verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |