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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 33 NH 600mA AEC-Q200 Mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 2.2GHz

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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 33 nH 600mA AEC-Q200 mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 2.2GHz, Tiefe: 1.7mm, Höhe: 1.4mm, Abmessungen: 2.3 x 1.7 x 1.4mm, Gleichstromwiderstand max.: 110mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B82498F3330J000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 33 NH 600mA AEC-Q200 Mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 2.2GHz

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Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 33 NH 600mA AEC-Q200 Mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 2.2GHz

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Wurth Elektronik EMI-Filter-Kit, 15-teilig, Maximale Induktivität: 35mH, Minimale Induktivität: 47µH, MPN: 744824
    • Igus Gleitlager, 42mm Bohrung, Außendurchmesser: 46mm, MPN: PFM-4246-19
    • Molex Buchsengehäuse 2.54mm 5-polig, MPN: 10-11-2053.ExR_FRG
    • Siemens Einlegekappe für Leucht-/Drucktaster hoch klar, 3SB2901-5RA, MPN: 3SB29015RA

    Siemens Einlegekappe für Leucht-/Drucktaster hoch klar, 3SB2901-5RA, MPN: 3SB29015RA

    Siemens Einlegekappe für Leucht-/Drucktaster hoch klar, 3SB2901-5RA.

    • Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 56kΩ ±0.1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse, MPN: RT0603BRD0756KL
    • ABB Steckbares Interfacerelais CR-M024AC4, MPN: 1SVR405613R0000

    ABB Steckbares Interfacerelais CR-M024AC4, MPN: 1SVR405613R0000

    ABB Steckbares Interfacerelais CR-M024AC4.

    • Molex Buchsengehäuse 2.54mm 6-polig, MPN: 10-11-2063.ExR_FRG
    • EPCOS SIMID SMD Induktivität, 33 nH 600mA AEC-Q200 mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 2.2GHz, Tiefe: 1.7mm, Höhe: 1.4mm, Abmessungen: 2.3 x 1.7 x 1.4mm, Gleichstromwiderstand max.: 110mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B82498F3330J000
    • Molex Buchsengehäuse 2.54mm 6-polig, MPN: 10-11-2063.ExR_FRG
    • EPCOS SIMID SMD Induktivität, 33 nH 600mA AEC-Q200 mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 2.2GHz, Tiefe: 1.7mm, Höhe: 1.4mm, Abmessungen: 2.3 x 1.7 x 1.4mm, Gleichstromwiderstand max.: 110mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B82498F3330J000