Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 42 W, 3-Pin TO-220F
About The : 1,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 42 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max
onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 42 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 1,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDPF10N50UT
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 42 W, 3-Pin TO-220F
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Specifications of Onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 8 A 42 W, 3-Pin TO-220F | |
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