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Fairchild Semiconductor UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The : 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.Fairchild Semiconductor UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max

Fairchild Semiconductor UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, MPN: FDS3692

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Fairchild Semiconductor UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Fairchild Semiconductor UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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