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Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 MW, 8-Pin PowerPAK SO

About The Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 mW, 8-Pin PowerPAK SO, Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1

Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 mW, 8-Pin PowerPAK SO, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.04mm, Länge: 5.15mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 MW, 8-Pin PowerPAK SO

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Specifications of Vishay SIR466DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 28 A 5000 MW, 8-Pin PowerPAK SO

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