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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13.6 A 2500 MW, 8-Pin SOIC

About The 6 A 2500 mW, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13.6 A 2500 mW, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, MPN: SI4162DY-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13.6 A 2500 MW, 8-Pin SOIC

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Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13.6 A 2500 MW, 8-Pin SOIC

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