Onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4
About The : 100nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: ±12 °, Abmessungen: 6.3/4, Fallzeit typ
x 8.77mm, Kollektorstrom: 39mA, Durchmesser: 6.1mm, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 880 nm, Kollektor-Emitter-Spannung: 30V, MPN: QSD124 onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4, Fallzeit typ.: 7µs, Dunkelstrom max.: 100nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: ±12 °, Abmessungen: 6.1 Dia.
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Displays und Optoelektronik > Optokoppler und Photodetektoren > Fototransistoren
Onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4
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Specifications of Onsemi THT Fototransistor IR 7μs → 880nm, 2-Pin T1.3/4 | |
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