Toshiba Battery Toshiba N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 3 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : +150 °C, MPN: TK3P50D,RQ(S.: 2
Toshiba Battery Toshiba N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 3 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK3P50D,RQ(S
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba Battery Toshiba N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 3 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Toshiba Battery Toshiba N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 3 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
