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3M 2900 MicroSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm

About The 3M 2900 microSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm, Gehäuseausrichtung: gewinkelt, Montagetyp: SMD, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Anschlussart: Löten, Gehäusematerial: Thermoplast, Länge: 14

3M 2900 microSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm, Gehäuseausrichtung: gewinkelt, Montagetyp: SMD, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Anschlussart: Löten, Gehäusematerial: Thermoplast, Länge: 14.0mm, Breite: 1.85mm, Tiefe: 15.2mm, Abmessungen: 14 x 1.85 x 15.2mm, MPN: 2908-05WB-MG

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > USB D-Sub & Computer Steckverbinder > Speicherkarten Steckverbinder

3M 2900 MicroSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm

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Specifications of 3M 2900 MicroSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm

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Amphenol Limited, 62GB MIL-Rundsteckverbinder, Stecker, 6-polig, 700 V, Kabel, MIL-DTL-26482, Kontakt Gender: Male, Nennstrom: 7.5A, Verbindungstyp: Bajonett, Gehäuseausrichtung: Gerade, MPN: 62GB-56T10-06PBW
    • ITT Cannon DL, DLM D-Sub-Gehäuse, 60-polig, aus Aluminium, Zugentlastung: Ja, MPN: DL3

    ITT Cannon DL, DLM D-Sub-Gehäuse, 60-polig, aus Aluminium, Zugentlastung: Ja, MPN: DL3

    ITT Cannon DL, DLM D-Sub-Gehäuse, 60-polig, aus Aluminium.

    • ITT Cannon DLM Buchsenkörper Female, 96-polig, 5A, Gehäuseausrichtung: Gerade, Gehäusematerial: Aluminiumlegierung, Kontaktmaterial: Berylliumkupfer, Kontaktbeschichtung: Gold, Betriebsspannung: 1,2 kV ac, Betriebstemperatur (max.): +105°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: DLM2-96R
    • Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 5,6 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFR9120TRPBF
    • Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 5,6 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFR9120TRPBF