Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 78 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,12 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: IPZA60R120P7XKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 78 A, 4-Pin TO-247-4
Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 78 A, 4-Pin TO-247-4 | |
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