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Infineon HEXFET IRFU2405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 56 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRFU2405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 56 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.39mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRFU2405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 56 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Specifications of Infineon HEXFET IRFU2405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 56 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Infineon HEXFET IRFU2405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 56 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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