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Vishay SI7852DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay SI7852DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET, Drain-Source-Widerstand max

Vishay SI7852DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET, Drain-Source-Widerstand max.: 22 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.08mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SI7852DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

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Specifications of Vishay SI7852DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

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Vishay SI7852DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET
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RS PRO ISO-Standardzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 32mm / Hub 200mm, bis 10 bar, Ausführung: Zweifach, Anschlussverbindung: G1/8, Endlagendämpfung: Gepolstert, Abmessungen: 320 x 46 x 46mm, Länge: 320mm, ISO Standard: 15552, Betriebstemperatur (max.): +80°C, VDMA Standard: 6431
    • Hirose HI-FLEX-HHP502 Montagewerkzeug, Serie HIF3M

    Hirose HI-FLEX-HHP502 Montagewerkzeug, Serie HIF3M

    Hirose HI-FLEX-HHP502 Montagewerkzeug, Serie HIF3M.

    • Teng Tools Spitzzange / Backen 15mm, gebogen 140 mm, ESD-sicher: Nein, Material/Stoff: Carbon-Stahl, Spitzen-Art: Abgewinkelt, MPN: MBM468
    • Infineon Power Switch IC Hochspannungsseite 35mΩ 4-Kanal 43 V max. 4 Ausg.

    Infineon Power Switch IC Hochspannungsseite 35mΩ 4-Kanal 43 V max. 4 Ausg.

    Infineon Power Switch IC Hochspannungsseite 35mΩ 4-Kanal 43 V max., MPN: BTS716GXUMA1. 4 Ausg.

    • Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IPB60R060C7ATMA1
    • Hirose HIF3MAW Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Gold, Nennstrom: 1.0A, Anschlagstiftlänge: 3.0mm, Passende Stiftlänge: 6.0mm, Betriebsspannung: 200,0 V, 500,0 V dc, 650,0 V ac, MPN: HIF3MAW-10PA-2.54DS(63)
    • Vishay SI7852DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET, Drain-Source-Widerstand max.: 22 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.08mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Rittal Stahlblech Hutschiene B.

    Rittal Stahlblech Hutschiene B.

    Rittal Stahlblech Hutschiene B.

    • Vishay SI7852DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET, Drain-Source-Widerstand max.: 22 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.08mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Rittal Stahlblech Hutschiene B.

    Rittal Stahlblech Hutschiene B.

    955mm, Serie: SZ, MPN: 4946000 1m, L. 1m, L. Rittal Stahlblech Hutschiene B.