IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 200 W, 3-Pin TO-220
About The 66mm, Betriebstemperatur max.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 200 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.66mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFP12N50P
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 200 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 200 W, 3-Pin TO-220 | |
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