Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 1,15 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +20 V, Länge: 6.25mm, MPN: SIRA90DP-T1-RE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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