TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 3,9 μH 30mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 8MHz
About The 25mm, Abmessungen: 2 x 1.25mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max
TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 3,9 μH 30mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 8MHz, Tiefe: 1.25mm, Abmessungen: 2 x 1.25 x 1.25mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 650mΩ, Resonanzfrequenz max.: 80MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: MLF2012A3R9KT
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TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 3,9 μH 30mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 8MHz
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Specifications of TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 3,9 μH 30mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 8MHz | |
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