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Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k, 16bit / Wort, TSOP 44-Pin

About The : 3 V, MPN: CY7C1021DV33-10ZSXIT.Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k, 16bit / Wort, TSOP 44-Pin, Organisation: 64 k x 16 Bit, Zugriffszeit max

Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k, 16bit / Wort, TSOP 44-Pin, Organisation: 64 k x 16 Bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.51 x 10.26 x 1.04mm, Arbeitsspannnung max.: 3,6 V, Länge: 18.51mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Arbeitsspannnung min.: 3 V, MPN: CY7C1021DV33-10ZSXIT

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM

Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k, 16bit / Wort, TSOP 44-Pin

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Specifications of Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 64k, 16bit / Wort, TSOP 44-Pin

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