Vishay SI7716ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 3500 mW, 8-Pin PowerPAK 1212, Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SI7716ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 3500 MW, 8-Pin PowerPAK 1212
Specifications of Vishay SI7716ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 3500 MW, 8-Pin PowerPAK 1212 | |
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