reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Vishay SI7716ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 3500 MW, 8-Pin PowerPAK 1212

About The Vishay SI7716ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 3500 mW, 8-Pin PowerPAK 1212, Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

Vishay SI7716ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 3500 mW, 8-Pin PowerPAK 1212, Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SI7716ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 3500 MW, 8-Pin PowerPAK 1212

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay SI7716ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 3500 MW, 8-Pin PowerPAK 1212

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay SI7716ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 3500 MW, 8-Pin PowerPAK 1212
More Varieties

Rating :- 9.76 /10
Votes :- 41