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Texas Instruments DC/DC-Wandler Step Down 1-Kanal 0,052 MHz PDIP 8-Pin Fest

About The : 500mA, Montage-Typ: THT, Betriebstemperatur max.16 x 3

Texas Instruments DC/DC-Wandler Step Down 1-Kanal 0,052 MHz PDIP 8-Pin Fest, Ausgangsspannung max.: 3,3 V, Eingangsspannung min.: 4 V, Eingangsspannung max.: 40 V, Ausgangsstrom max.: 500mA, Montage-Typ: THT, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Abmessungen: 10.16 x 3.302 x 6.35mm, MPN: LM2574N-3.3/NOPB

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > DC-DC Regulator ICs

Texas Instruments DC/DC-Wandler Step Down 1-Kanal 0,052 MHz PDIP 8-Pin Fest

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Specifications of Texas Instruments DC/DC-Wandler Step Down 1-Kanal 0,052 MHz PDIP 8-Pin Fest

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Texas Instruments DC/DC-Wandler Step Down 1-Kanal 0,052 MHz PDIP 8-Pin Fest
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Rating :- 9.71 /10
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Sioen Jakarta Unisex Arbeitsjacke, wasserdicht Strickstoff, Polyester Marineblau, Größe S, Materialeigenschaften: Wasserdicht, Winddicht, Mit Kapuze: Nein, MPN: F0741
    • Samtec SSW Leiterplattenbuchse gewinkelt 6-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Typ: Buchsenleiste, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 4.7A, Betriebsspannung: 465 V, 655 V., Kontaktmaterial: Bronze, Kontaktbeschichtung: Zinn, MPN: SSW-106-02-T-S-RA
    • TE Connectivity RG213 Koaxialkabel konfektioniert, 50 Ω, 500mm, Typ N / Typ N, Abgeschlossen/Nicht abgeschlossen: Abgeschlossen, Gender Steckverbinder 1: Stecker, Anschluss A: N-Typ, MPN: 1337803-2
    • STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 16.4mm, MPN: STF10N60M2
    • STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 16.4mm, MPN: STF10N60M2