Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin I2PAK (TO-262)
About The : 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPI45N06S409AKSA2.Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max
Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0092 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPI45N06S409AKSA2
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin I2PAK (TO-262)
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Specifications of Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin I2PAK (TO-262) | |
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