Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 350,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00047 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiR500DP-T1-RE3
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Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 350,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 350,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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