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Endress+Hauser Trennbarriere 2-kanalig SIL 2, Zone 2 24V Dc Galvanische Trennung/Isolator

About The Endress+Hauser Trennbarriere 2-kanalig SIL 2, Zone 2 24V dc Galvanische Trennung/Isolator, Spannung (max.): 24V dc, MPN: RN22-1123/0

Endress+Hauser Trennbarriere 2-kanalig SIL 2, Zone 2 24V dc Galvanische Trennung/Isolator, Spannung (max.): 24V dc, MPN: RN22-1123/0

Elektromechanik & Automation und Kabel > Relais und Signalaufbereitung > Signalwandler und -isolatoren > Trenn- und Zenerbarrieren

Endress+Hauser Trennbarriere 2-kanalig SIL 2, Zone 2 24V Dc Galvanische Trennung/Isolator

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Specifications of Endress+Hauser Trennbarriere 2-kanalig SIL 2, Zone 2 24V Dc Galvanische Trennung/Isolator

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Endress+Hauser Trennbarriere 2-kanalig SIL 2, Zone 2 24V Dc Galvanische Trennung/Isolator
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Microchip Mikrocontroller ATSAM ARM Cortex M4 32bit SMD 1,024 MB LQFP 100-Pin 120MHz 128 KB RAM USB, Anzahl der PWM-Einheiten: 1 x 16 bit, MPN: ATSAM4E16CA-AN
    • Wurth Elektronik WE-HCIA SMD Induktivität, 1,1 μH 14.7A AEC-Q200 mit Polystyrol-Kern, 7050 Gehäuse 7mm / 20%, Tiefe: 6.9mm, Geschirmt: Ja, MPN: 784314011
    • SIBA GZ Feinsicherung M / 2A 5 x 25mm 250V ac Keramik, Betriebsspannung: 250V ac, MPN: 70-010-05/2A
    • Wurth Elektronik WE-HCIA SMD Induktivität, 3,3 μH 9.2A AEC-Q200 mit Polystyrol-Kern, 7050 Gehäuse 7mm / 20%, Tiefe: 6.9mm, Geschirmt: Ja, MPN: 784314033

    Wurth Elektronik WE-HCIA SMD Induktivität, 3,3 μH 9.2A AEC-Q200 mit Polystyrol-Kern, 7050 Gehäuse 7mm / 20%, Tiefe: 6.9mm, Geschirmt: Ja, MPN: 784314033

    Wurth Elektronik WE-HCIA SMD Induktivität, 3,3 μH 9.2A AEC-Q200 mit Polystyrol-Kern, 7050 Gehäuse 7mm / 20%.

    • Wurth Elektronik WE-HCIA SMD Induktivität, 3,3 μH 9.2A AEC-Q200 mit Polystyrol-Kern, 7050 Gehäuse 7mm / 20%, Tiefe: 6.9mm, Geschirmt: Ja, MPN: 784314033

    Wurth Elektronik WE-HCIA SMD Induktivität, 3,3 μH 9.2A AEC-Q200 mit Polystyrol-Kern, 7050 Gehäuse 7mm / 20%, Tiefe: 6.9mm, Geschirmt: Ja, MPN: 784314033

    2A AEC-Q200 mit Polystyrol-Kern, 7050 Gehäuse 7mm / 20%.Wurth Elektronik WE-HCIA SMD Induktivität, 3,3 μH 9.