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STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The : -20 V, +20 V, Höhe: 1.65mm, MPN: STS5NF60L

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.65mm, MPN: STS5NF60L

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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TE Connectivity AMP-LATCH 609 IDC-Steckverbinder Buchse, gewinkelt, 34-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Montagetyp: Kabelmontage, Nennstrom: 1A, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Betriebstemperatur min.: -55.0°C, Betriebstemperatur (max.): 125.0°C, Kontaktmaterial: Berylliumkupfer, Gehäusematerial: Thermoplast, MPN: 1-1658526-8
    • TE Connectivity AMP CT Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 10-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für, Zur Verwendung mit: Kabel-Platinen-Verbinder, Länge: 22mm, Breite: 4.6mm, Gehäusematerial: Nylon, MPN: 1-173977-0
    • Allen Bradley 1492-GS MCB Leitungsschutzschalter Typ G, 1-polig 500mA 1492-GS DIN-Schienen-Montage, Polzahl: 1P, Länge: 80mm, Breite: 25mm, Tiefe: 88.5mm, Modellnummer: 1492-GS1G005-H1, MPN: 1492-GS1G005-H1 A
    • TE Connectivity AMP-LATCH IDC-Steckverbinder Buchse, gewinkelt, 14-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Gender: Female, Montagetyp: Kabelmontage, Gehäuseausrichtung: Rechtwinklig, Nennstrom: 1A, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Gehäusematerial: PET, MPN: 1-215882-4
    • onsemi SMD Schnelle Schaltdiode Diode, 75V / 200mA, 3-Pin SOT-23, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Niedriger Leckstrom, Maximaler Spannungsabfall: 1.25V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 3µs, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 500mA, MPN: BAS116LT1G
    • IXYS Linear N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 46 A 700 W, 4-Pin SOT-227, Montage-Typ: Schraubmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 160 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 38.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXTN46N50L
    • STMicroelectronics TVS-Diode Uni-Directional Einfach 53.5V 28.5V min., 2-Pin, SMD 25.6V max DO-214AB (SMC), Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 1500W, Impulsspitzen-Strom max.: 187A, Betriebstemperatur min.: -40 °C, Abmessungen: 7.15 x 6.25 x 2.45mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SM15T30AY
    • STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.65mm, MPN: STS5NF60L
    • STMicroelectronics TVS-Diode Uni-Directional Einfach 53.5V 28.5V min., 2-Pin, SMD 25.6V max DO-214AB (SMC), Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 1500W, Impulsspitzen-Strom max.: 187A, Betriebstemperatur min.: -40 °C, Abmessungen: 7.15 x 6.25 x 2.45mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SM15T30AY
    • STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.65mm, MPN: STS5NF60L