STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 650 V / 45 A, 3-Pin Hip247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,055 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCTW35N65G2VAG
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 650 V / 45 A, 3-Pin Hip247
Specifications of STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 650 V / 45 A, 3-Pin Hip247 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |