Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 28 A, 8-Pin PDFN56

Name: Taiwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 28 A, 8-Pin PDFN56, MPN: TSM280NB06LCR
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: ABDU-67129
Price: 35.90 EUR
Availability: InStock

About The Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 28 A, 8-Pin PDFN56, MPN: TSM280NB06LCR

Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 28 A, 8-Pin PDFN56, MPN: TSM280NB06LCR

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay RN60 Metallschicht Widerstand 22kΩ ±1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +175°C, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -65°C, MPN: RN60D2202FB14

Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 470 nH 1400mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%,, Gleichstrom max.: 650mA, Tiefe: 1.2mm, Höhe: 1mm, Abmessungen: 2 x 1.2 x 1mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 75mΩ, Resonanzfrequenz max.: 130MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 74479775147

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Specifications of Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 28 A, 8-Pin PDFN56
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Last Updated January 5th, 2025 08:36 pm

Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 28 A, 8-Pin PDFN56

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Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 44 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 17 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: TSM170N06PQ56

Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 44 A, 8-Pin PDFN56.

TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 110Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B110RE

1% / 0.

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: NTMFS6H800NT1G

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN.

TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 160Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B160RE

1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse.TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 160Ω ±0.

TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 160Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B160RE

TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 160Ω ±0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse.

Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 28 A, 8-Pin PDFN56

About The Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 28 A, 8-Pin PDFN56, MPN: TSM280NB06LCR

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Specifications of Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 28 A, 8-Pin PDFN56

Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 44 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 17 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: TSM170N06PQ56

TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 110Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B110RE

TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 160Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B160RE

TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 160Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B160RE