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Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 470 NH 1400mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%,

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Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 470 nH 1400mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%,, Gleichstrom max.: 650mA, Tiefe: 1.2mm, Höhe: 1mm, Abmessungen: 2 x 1.2 x 1mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 75mΩ, Resonanzfrequenz max.: 130MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 74479775147

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 470 NH 1400mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%,

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Specifications of Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 470 NH 1400mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%,

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Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 100 V / 46 A, 8-Pin PDFN56, MPN: TSM160N10LCR

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Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 100 V / 46 A, 8-Pin PDFN56.

    • Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 44 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 17 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: TSM170N06PQ56
    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 110Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B110RE
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: NTMFS6H800NT1G
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: NTMFS6H800NT1G