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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN

About The 2V, MPN: NTMFS6H800NT1G.: ±20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: NTMFS6H800NT1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN

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Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN

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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN
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Rating :- 8.05 /10
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TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 30Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B30RE
    • TE Connectivity CST-100 Leiterplattensteckverbinder Gehäuse Buchse 2.54mm, 14-polig / 1-reihig gerade, SMD, Länge: 36.07mm, Breite: 6.6mm, Gehäusematerial: Nylon, MPN: 1-770602-4
    • RS PRO Rohrschneider Kunststoff für Kunststoff, 15 mm, Distrelec Product Id: 30394895
    • Phoenix Contact VS-PPC-F1-PC-POBK Staubschutzkappe für RJ45-Steckverbinder, SC-RJ-Steckverbinder, Farbe: Schwarz, Schutzart: IP65, Material: Kunststoff, MPN: 1405316
    • Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 100 V / 46 A, 8-Pin PDFN56, MPN: TSM160N10LCR

    Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 100 V / 46 A, 8-Pin PDFN56, MPN: TSM160N10LCR

    Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 100 V / 46 A, 8-Pin PDFN56.

    • Taiwan Semiconductor TSM025 MOSFET 60 V / 44 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 17 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: TSM170N06PQ56
    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 110Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B110RE
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: NTMFS6H800NT1G
    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 110Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B110RE
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: NTMFS6H800NT1G